TrabalhosGratuitos.com - Trabalhos, Monografias, Artigos, Exames, Resumos de livros, Dissertações
Pesquisar

CURVAS CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR

Por:   •  28/4/2019  •  Trabalho acadêmico  •  1.118 Palavras (5 Páginas)  •  316 Visualizações

Página 1 de 5

[pic 2]

                Laboratório De Dispositivos Eletrônicos         

Prática 4: CURVAS CARACTER´ISTICAS DO TRANSISTOR TBJ

Turma 03        [pic 3]

Alunos: Matheus de Castro Passos Prado        Prof. James Blayne de Oliveira UFPI

Resumo: Nessa pratica será testado o diodo Zener com o intuito de fazer um retificador de tensão. Se bem projetado os valores de saída são bem próximos do esperado, onde a tensão cc fica estabilizada no valor que o diodo vai retificar.

Palavras-chave —Transistor, características do tbj, Corrente e tensão variável.

 

  1. Objetivo

O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um transistor de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e experimentação.

  1. INTRODUÇÃO

Em toda a sociedade a utilização de aparelhos eletrônicos é algo indispensável, mas todos esses aparelhos têm variações e funções diferentes, mas todos tem em comum algo na sua raiz assim como toda matéria existe o átomo quase todos os aparelhos apresentam transistores, que tem como duas funções básicas a de amplificador de sinal e a de chave, eles foram inventados por volta de 1960 para substituir a válvula componente eletrônico que tinha mesma função contudo era muito mais cara, muito maior e sem contar que esquentava muito desse modo consumia muita energia, já que funcionava tipo uma lâmpada incandescente.

Os transistores se dividem em duas partes unipolar(FET) e bipolar o bipolar se divide em 4 tipos os JFET, MOSFET, NMOSFET, PMOSFET. Já o bipolar se divide em dois tipos NPN e PNP e dessas combinações resultam em três regiões Coletor(C), Base(B) e emissor(E). E será esses que iremos estudar figura 1.

Irá ser utilizado um transistor do tipo NPN, no qual o sistema para aferir e averiguar as curvas do Transistor quando sua base é ativada ou não desse modo conhecendo melhor o mesmo.

       

[pic 4]

       Figura 2: Representação do diodo  

  1. MATERIAIS E MÉTODOS
  1. Materiais utilizados
  • Transistor        
  • Fonte de tensão Alternada
  • Multímetros
  • Resistores
  •     Protoboard
  •     Cabos de conexão
  •      Osciloscópio

Montagem - o circuito da Figura 1será montado em uma protoboard, onde uma fonte de tensão DC variável  será conectado ao sistema colocando tensões de modo a se conseguir o valor desejado na saída do Transistor o resistor e o Transistor serão a base da montagem para o sistema funcionar a montagem tem algumas variáveis para poder entender melhor a montagem que são: desde a sua temperatura como as imperfeiçoes da protoboard e fios utilizados e os multímetros para aferir os valores

[pic 5]

Figura 1: Montagem do circuito Transistor

  1. RESULTADOS, DISCURSÕES E SIMULAÇÃO

      É tomado alguns cuidados na montagem física em laboratório, já que foi estudado e mostrado anteriormente que a ligação errada do transistor pode queima-lo desse modo podendo  resultar em danos irreparáveis ao componente, como o posicionamento correto do transistor para não colocar na sua região proibida, sendo um fator decisivo para o Transistor opere na faixa correta de operação e de segurança e que suas medições sejam bem aferidas, era desconectado o cabo de energia para poder fazer com que ele esfriasse mais e podendo assim ter um maior controle da temperatura que é um fator que prejudica bem os semicondutores. A parte

da simulação foi utilizada no Multisim para poder aferir [pic 6]

resultados sem uso de uma montagem real como podemos ver na Fig.6.

[pic 7]

Figura 3: montagem feita no multisin

Corrente medida no coletor Ic(mA)

Ibb(µA)

Vce(V)

20

40

60

80

0,5

5,887

11,963

17,378

22,563

1

5,962

12,029

17,563

22,621

3

6,088

12,309

17,951

23,277

5

6,243

12,628

18,425

23,923

10

6,637

13,429

19,574

25,418

15

7,031

14,269

20,746

26,783

Tabela 1: Valores teóricos obtidos

Corrente medida no coletor Ic(mA)

Ibb(µA)

Vce(V)

20

40

60

80

0,5

3,816

12,26

18,10

23,11

1

6,243

12,42

18,66

24,67

3

6,458

12,85

19,57

25,88

5

6,593

13,34

20,68

27,06

10

6,783

14,81

22,47

30,72

15

7,263

16,48

24,48

34,69

...

Baixar como (para membros premium)  txt (7.7 Kb)   pdf (514 Kb)   docx (202.9 Kb)  
Continuar por mais 4 páginas »
Disponível apenas no TrabalhosGratuitos.com