Lista De Exercício De Fet

1 – Descreva, de forma resumida, o que é um JFET.

O JFET ou Transistor de Efeito de Campo de Junção é um dispositivo unipolar que possui um canal do tipo N ou P, dentro do qual ocorre a passagem de um fluxo de elétrons controlada pela tensão de porta. A porta ou gate consiste numa dopagem oposta à do canal e, quanto maior for a tensão reversa aplicada à porta, mais estreito o canal ficará.

2 – Abaixo temos uma curva típica de um JFET, onde à esquerda de VP encontramos uma região chamada de região ôhmica e à direita uma região chamada de saturação. Explique por que são usados esses dois nomes para essas regiões. Aplicando a Lei de Ohm com os valores indicados no gráfico prove que a região ôhmica é uma região de resistência constante.

À esquerda temos a região ôhmica porquê o FET se comporta como um resistor nessa faixa, ou seja, um aumento da tensão VDS aumenta proporcionalmente a corrente ID. À direita temos a região de saturação porquê o incremento da tensão VDS não aumenta mais a corrente, sendo que estamos na condição de corrente de saturação do dreno IDSS.

Provando a região ôhmica:

R=V/I, logo:

⇨ Para VDS = 1V e ID = 2mA, R= 1/2x10- ³ = 500Ω

⇨ Para VDS = 2V e ID = 4mA, R= 2/4x10- ³ = 500Ω

⇨ Para VDS = 3V e ID = 6mA, R= 3/6x10- ³ = 500Ω

⇨ Para VDS = 4V e ID = 8mA, R= 4/8x10- ³ = 500Ω

Ou seja, no trecho da região ôhmica, o dispositivo se comporta como um resistor de valor fixo.

3 – Os FET’s são dispositivos controlados por tensão. Explique essa afirmativa.

O fluxo de corrente estabelecido entre o dreno e a fonte é uma função que depende da tensão aplicada na porta. Em outras palavras, quanto mais negativo for o valor de VGS, menor será a corrente de dreno.

4 – Cite pelo menos três características dos FET’s que os diferem dos BJT’s.

⇨ São preferíveis na construção de chips por serem menores que os BJT’s

⇨ Possuem menor dissipação de potência, tendo um aproveitamento melhor da energia

⇨ São muito mais sensíveis à eletricidade estática

⇨ Possuem menor ganho

⇨ Possuem maior linearidade

⇨ São controlados por tensão, e não por corrente

⇨ Possuem impedância de entrada muito mais elevada, considerando-se aproximadamente infinita

5 – Utilizando a equação de Shocley, calcule a corrente de dreno para cada situação. Considere o FET canal N.

a) VP = - 4V, IDSS = 8mA, VGS = -4V

ID = IDSS [1- (VGS/VP)]² ⇒ ID = 8x10 - 3[1-(-4V/-4V)]² ⇒ ID = 0 mA

b) VP = - 3V, IDSS

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