O Relatorio Eletronica
Por: Arthur Oliveira de Carvalho • 5/2/2021 • Relatório de pesquisa • 1.784 Palavras (8 Páginas) • 134 Visualizações
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CENTRO UNIVERSITÁRIO DINÂMICA DAS CATARATAS CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
Missão: “Formar Profissionais capacitados, socialmente responsáveis e aptos a promoverem as transformações futuras”
ANDERSON MAIKO TEZZA
ARTHUR OLIVEIRA DE CARVALHO
GIAN CARLOS PAULI
LEVANTAMENTO DA CURVA DO JFET CANAL N
FOZ DO IGUAÇU - PR 2017
RESUMO
A seleção e a utilização de dispositivos eletrônicos dependem dos dispositivos e as características do projeto. Os dispositivos FET’S (Field Effect Transistor), traduzido e conhecido como transistor de efeito de campo, que como o nome já diz trabalha com o efeito do campo elétrico. Existem inúmeras maneiras de polarização deste dispositivo, como a polarização fixa, polarização por divisor de tensão, porta-comum, a definição de como polarizar e qual método usar irá depender das características do projeto. Dispositivos FET possuem peculiaridades que podem levar o projetista a utilizar este dispositivo, algumas características relevantes destes dispositivos são o tamanho pequeno, baixo custo, baixo consumo de potência e amplas faixas de frequência. Os FET’s são utilizados em aplicações de alta frequência.
Palavras Chave: Eletrônica, Transistor, JFET.
SUMARIO
1. INTRODUÇÃO 5
2. OBJETIVOS DA EXPERÊNCIA 6
3. FORMAS DE ONDAS SIMULADAS 7
3.1 Curva de Transcondutância do Transistor 2N5484 7
3.2 Curva de Característica do Transistor 2N5484 8
3.3 Curva de Transcondutância do Transistor 2N5485 9
3.4 Curva de Característica do Transistor 2N5485 10
3.5 Curva de Transcondutância do Transistor 2N5486 11
3.6 Curva de Característica do Transistor 2N5486 12
4. SIMULACOES E CALCULOS TEÓRICO 13
4.1 CÁLCULOS TEÓRICOS 13
4.1.1 Polarização do JFET na região ôhmica 13
4.1.2 Polarização do JFET na região ôhmica 13
4.1.3 Autopolarização do JFET 13
4.1.4 Autopolarizaão do JFET 14
4.1.5 Polarização por divisor de tensão 14
4.1.6 Polarização por divisor de tensão 15
4.2 SIMULAÇÕES 17
4.2.1 Polarização do JFET na região ôhmica 17
4.2.2 Polarização do JFET na região ôhmica 18
4.2.3 Autopolarização do JFET 2N5486 19
4.2.4 Autopolarização do JFET 20
4.2.5 Polarização por divisão de tensão 21
4.2.6 Polarização por divisão de tensão 22
4.3 TABELA COMPARATIVA 23
5. MATERIAIS UTILIZADOS 24
6. CONCLUSÕES 25
7. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 26
LISTA DE FIGURAS
Figura 01 – Curva de Transcondutância JFET 2N5484 7
Figura 02- Curva Característica JFET 2N5484 8
Figura 03 – Curva de Transcondutância JFET 2N5485 9
Figura 04 – Curva Característica JFET 2N5458 10
Figura 05 – Curva de Transcondutância JFET 2N5486 11
Figura 06 – Curva Característica JFET 2N5486 12
Figura 07 – Polarização do JFET na Região Ôhmica 17
Figura 07 - Polarização do JFET na Região Ôhmica 18
Figura 08 – Autopolarização do JFET 19
Figura 09 - Autopolarização do JFET 20
Figura 10 – Polarização do JFET por divisor de Tensão 21
Figura 11 - Polarização do JFET por divisor de Tensão 22
INTRODUÇÃO
Este documento, relata o conhecimento adquirido nas práticas realizadas em laboratório a respeito dos transistores JFET (Junction gate Field-Effect Transistor) tipo N: 2N54854, 2N54855 e 2N54856, com o levantamento das curvas de transcondutância e característica e a aplicação dos mesmos em diferentes tipos de configurações de polarização, com a aplicação de cálculos teóricos aliados a simulação no software NI Multisim 14.0, para obtenção de valores mais precisos para os cálculos.
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