ATPS - ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

FACULDADE ANHANGUERA DE SOROCABA

CURSO DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

ATPS – ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

Sorocaba/SP

2012

Sumário

Etapa 1

Passo 1

Basicamente a grande diferença de um Diodo comum e do diodo de potencia é que um diodo de potencia tem:

Um corpo maior para poder dissipar o calor gerado internamente, pode ser simplesmente de epóxi para correntes medias até metálico para refrigeração por água.

- uma área de junção maior. Se a corrente que vai circular é maior, é necessário mais área para não ultrapassar o limite de corrente do semicondutor (silício, por exemplo)

- a tensão de junção (região direta) fica ligeiramente menor devido a esse aumento da área, um diodo comum tem 0,6v e um de potência chega a 0,45v.

- Devido a esse aumento de área, diodo de potência apresenta elevada capacitância de junção, diminuindo a resposta em freqüências mais altas.

A construtiva é basicamente o material q seu encapsulamento é feito. No caso dos diodos de potência, geralmente são de metal e de design q facilita a incorporação de um dissipador de calor, bem como obviamente o diâmetro e formato dos terminais q fogem do comum, o q implica numa acomodação sua na PCI bem diferente.

O comportamento desse tipo de diodo é basicamente o mesmo de um diodo de baixa potência, com uma exceção, sua corrente de fuga (qd polarizado reversamente) é bem maior o que deve ser levado em conta se for o caso.

Agora algumas imagens de encapsulamento de Diodos.

Diodo retificador de potência tipo rosca

Diodo retificador de potência tipo disco

Diodo retificador de potência tipo press fit

Passo 2

Diodos de Potencia

Diodos/codigo VRRM IFAV VF TRR

1N 5408 800v 3A 1,2V

SKN100/12 1200V 125A 1,55V

SKN6000/06 600V 6000A 1,3V

Diodos Rápidos

SKN3F20/8 800V 20A 2,15 250ns

SKN340F/18 1800V 400A 1,9V 2200ns

BY359-1500 1500V 6,5A 2,6V 600ns

Diodos Ultra-Rapidos

UF4007 1000V 1A 1,7V 50ns

MUR840 400V 8A 1,25V 50ns

BYT16P-400 400V 16A 1,5V 35ns

RHRG30120 1200V 30A 2,25V 70ns

Diodos Schottky

MBRD835L 35V 8A 0,41V

IN5822 40V 3A 0,52V

STPS12045TV 45V 60A 0,67V

Tabela 1

Significados dos parâmetros mais importantes:

VRRM – Tensão reversa

IFAV - Corrente

VF – Queda de Tensão

TRR - Recuperação reversa

Tipos de diodo

DIODO RETIFICADOR RÁPIDO BYT16P-400

DIODO RETIFICADOR BY359-1500

DIODO RETIFICADOR 1N 5408

DIODO RETIFICADOR TIPO ROSCA

DIODO RETIFICADOR TIPO DISCO

DIODO RETIFICADOR PRESS-FIT

Tabela 2

Passo 3

SCR (Sillicon Controlled Rectificier)

A sigla significa retificador controlado de silício (Sillicon Controlled Rectificier). Ele é um diodo controlado por pulso, aplicado no gatilho ( gate ). Sua estrutura PNPN é igual à da trava ideal, sendo o pulso positivo aplicado no terminal que corresponde à base do transistor NPN, o gatilho. O emissor do PNP é o anodo e o do NPN, o catodo do diodo

• Características de reduzidas resistências e tensões em condução, permitindo a aplicação em elevadas tensões e potências (5000 - 6000 V e 1000 - 2000 A)- 1998.

• Bloqueio através da redução da corrente à valores inferiores à I H(corrente de manutenção), uma vez que, mesmo com a inversão da corrente do gate, não é possível bloquear o SCR

• Com o aumento da corrente de gate, diminui a tensão direta de entrada em condução (VBO).

• Em condução a característica é similar ao diodo PN.

• Não

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