Exercícios para Eletronica

Questão 01 - Letra A

R = S * (L/W)

2200 = 16 * (L/W)

2200/16 = L/W = M

M = L/W = 137

Rt = M*R

Rt = 137 * 2200

Rt = 301400

M = 137

1:10 aprox. 13

R = S * (L/W)

10000 = 100 * (L/W)

10000/100 = 100 * (L/W) = M

M = L/W = 100

Rt = M*R

Rt = 100 * 10000

Rt= 1000000

M=100

1:10 aprox. 10

Questão 04

O desenvolvimento de todos os equipamentos e aparatos tecnológicos atuais somente foi possível graças à aplicação da eletrônica nas mais variadas áreas da engenharia.

A forma dessa aplicação é através de circuitos eletrônicos de alta complexidade, miniaturizados como Circuitos Integrados.

A cadeia de produção de circuitos eletrônicos integrados abrange uma grande sequência de etapas interligadas.

O entendimento dos detalhes desta cadeia permite compreender as características deste mercado.

Fabricação do Wafer

– Silício puro → wafer

Projeto e Layout

– Idéias → layout

Fabricação dos circuitos

– Wafer+layout → wafer processado

Encapsulamento

– Wafer processado → circuitos encapsulados

Testes (permeia as 4 etapas anteriores)

Insumo

Matéria prima: silício bruto com alto grau de pureza (maior que 1:109);

O silício é extraído do minério de sílica, e purificado por processos químicos e por fusão / solidificação;

Silício é o segundo elemento mais abundante na crosta da terra;

Lingote

Silício bruto é fundido num forno (temp. de fusão = 1410 °C);

Uma “semente” mono cristalina é introduzida na superfície do silício fundido;

A tração controlada da semente faz crescer uma estrutura mono cristalina ao redor da semente (processo Czochralski);

Wafer

A superfície do lingote é retificada e após ele é fatiado (slicing) em lâminas com menos de 1 mm de espessura;

O diâmetro do lingote define o tamanho da lâmina (wafer);

As lâminas são polidas e decapadas quimicamente;