A Polarização de transistores bipolares

UNIVERSIDADE FEDERAL DO TRIÂNGULO MINEIRO

Instituto de Ciências Tecnológicas e Exatas

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Luiz Eduardo Borges de Oliveira (RA:201310335)

Guilherme Garofo de Oliveira Barbosa (RA:201410462)

Gabriel Pires da Silva (RA:201410782)

Pedro Luiz Costa e Silva (RA: 201310357)

PRÁTICA 04

Polarização de transistores bipolares

Prof. Danillo Borges Rodrigues

Disciplina: Circuitos Eletrônicos 1

Uberaba – MG

06/06/2017

Luiz Eduardo Borges de Oliveira (RA:201310335)

Guilherme Garofo de Oliveira Barbosa (RA:201410462)

Gabriel Pires da Silva (RA:201410782)

Luiz Pedro Costa e Slva (RA: 201310357)

Prática 04
Polarização de transistores bipolares

Relatório Referente a aula pratica de laboratório apresentado à disciplina de Circuitos Eletronicos da Universidade Federal do Triangulo Mineiro como requisito para obtenção de nota parcial.
Prof. Danillo Borges Rodrigues

Uberaba - MG

2017

1.Introdução

A principal característa de um transistor é controlar a corrente. Sua estrutura é formada por cristais semicondutores, sendo duas de três camadas do mesmo tipo. A camada interemediária é a que difere das outras, sendo esta quem controla a passagem de corrente pelas outras duas. As três extremidadades são, coletor, base e emissor.

O emissor tem tal nome pela propriedade de emitir portadores. Ele é fortemente dopado, possuindo um grande número de portadores de cargas. Já a base é muito fina e com dopagem moderada, não tendo capacidade em absorver todos os portadores vindos do emissor. Por útlimo, o coletor é levemente dopado e é a maior camada, sendo possível a coleta dos portadores vindos do emissor.

Como nos diodos, entre as junções das camada P e N existem barreiras de potencial. Com a polarização correta, é possível romper essa barreira de forma a fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor através da base.

2.Procedimentos

Equipamentos Utilizados

• 1 resistor de 1KΩ, 1 de 3.9KΩ, 1 de 100KΩ, 1 de 620KΩ, e 1 de 1MΩ;
• 1 transistor BC547B;
• 1 Matriz de contatos;
• 1 Multimetro;
• 1 Fonte de alimentação cc simétrica;
• 1 cabo de força;
• 1 par de ponteiras de multimetro;
• Fios diversos para as conexões de matriz de contatos.

Métodos

Para iniciar o experimento, foi verificado a condutividade da matriz de contatos nos pontos intermediários com o auxílio de multímetro digital. Em seguida foi verificada a tensão de todos os equipamentos colocando cada um em sua faixa apropriada. Por fim a fonte de alimentaçao CC foi ajustada para 20V.

Etapa 1:

        Com um multímetro verificamos o valor de ganho do transistor. Em seguida montamos o circuito de polarização da base que pode ser visto na figura 1.

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Figura 1: Circuito de polarização da base

Utilizando novamente o multímetro aferimos os valores para VCE, Ic e Is. Em seguida foi feita a alteração do resistor para um de valor 620KΩ. As mesma tensões e corrente foram medidas e anotadas em uma nova tabela. O mesmo procedimento se repetiu para um resistor de 1MΩ e a mais uma tabela foi completada.

Usando as equações a seguir, calculamos os valores para Ic(SAT) e VCE(CORTE). O valor de VBE foi adotado como 0,72V conforme datasheet. Os valores reais das coordenadas do ponto Q foram calculadas para um novo valor de resistor que opera no meio da reta de carga.

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