O Transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor
Por: Tiago Ribeiro • 9/11/2017 • Relatório de pesquisa • 1.167 Palavras (5 Páginas) • 424 Visualizações
Universidade Federal do Maranhão - UFMA
Centro de Ciências Exatas e Tecnologia – CCET
Laboratório de Materiais Elétricos – DEEE0081
Prof. Dr. Francisco Sávio Mendes Sinfrônio
Circuitos - Transistores
SÃO LUÍS
2017
Tiago Ribeiro Silveira - 2014005227
Circuitos - Transistores
Relatório apresentado ao professor Francisco Sávio da disciplina de Laboratório de Materiais Elétricos, no 1º semestre de 2017, no curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Maranhão.
SÃO LUÍS
2017
SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO 4
2. OBJETIVOS 5
3. MATERIAIS UTILIZADOS 5
4. FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA 6
5. Análise dos dados e relatório técnico 7
5. RESULTADOS E DISCUSSÕES 9
5.1 Circuito emissor comum 9
5.2 Circuito detetor (detector) 9
5.3 Circuito piscador (temporizador) 9
6. CONCLUSÃO 10
REFERÊNCIAS 11
INTRODUÇÃO
O transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor, de junção bipolar, composto de três regiões dopadas (base, emissor e coletor). Entre os tipos estão o pnp e npn, o primeiro é composto por duas regiões p, separadas por uma n e o segundo apresenta duas regiões n, separadas por uma p. Em posse dos tipos, de capacitores, resistores e LEDs foi possível demonstrar o efeito amplificador dos transistores.
O efeito de amplificação é adquirido quando a corrente de base oscila entre zero e o valor máximo, pois a corrente no coletor será um múltiplo da corrente de base, fato observado com a frequência e funcionamento dos LEDs.
A fundamentação, os dados e resultados foram desenvolvidos a partir de uma montagem na protoboard, com equipamentos reais, apresentando uma maior realidade que a simulação em softwares especializados.
OBJETIVOS
- Descrever a montagem de circuitos analógicos discretos contendo transistores de junção bipolares (BJT);
- Observar o comportamento dos transistores BJT em sistemas de chaveamento;
- Comprovar a correspondência dos modelos teóricos estudados com a prática.
MATERIAIS UTILIZADOS
- 01 transformador Phywe 110/220VAC – 9 VDC;
- 01 placa protoboard PEKCarist;
- 02 LED (20 mA);
- 01 resistência 1MΩ (1W);
- 02 resistências 180Ω (1W);
- 02 resistências 470Ω (2W);
- 02 capacitores eletrolíticos 100μF (35 V);
- 02 capacitores eletrolíticos 500μF (35 V);
- 04 transistores BCY 58 (posição esquerda e/ou direita);
- 02 transistores 2N 3055 (posição esquerda e direita);
- 03 amperímetros analógicos;
- 01 multímetro digital;
- 02 cabos conectores 45 cm (plug 4mm, 32 A);
- 04 cabos conectores 20 cm (plug 4mm, 32 A);
- 22 cabos conectores 15 cm (plug 4mm, 32 A).
FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA
O transistor é um componente de circuito elétrico, cujo nome vem do termo transfer resistor (resistor de transferência). Sendo suas duas principais funções: amplificar correntes e chavear sinais elétricos. A amplificação é observada quando se aplica uma um sinal na base do transistor, obtendo uma corrente mais elevada no coleto. Já o chaveamento é obtido quando o transistor está saturado ou em estado de corte, sendo a primeira equivalente a chave fechada e a segunda chave aberta.
Sua aplicação é vantajosa, pois o custo de fabricação é menor, ele gasta menos energia que as tecnologias antecessoras, apresenta menor tamanho, é mais leve, mais resistente, não necessita de filamento e possui menor tensão de alimentação, fatores esse que que tornaram as válvulas uma tecnologia obsoleta.
No transistor de junção bipolar ou TJB (BJT – Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor é feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a junção coletor-base é polarizada reversamente e a junção base-emissor é polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base é suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente será tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. Isso permite que o transistor funcione como amplificador pois ao se injetar uma pequena corrente na base se obtém uma alta tensão de saída. No entanto o transistor de silício só permite seu funcionamento com uma tensão entre base e emissor acima de 0,7V e 0,3V para o germânio.
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