Operação básica e características

Operação básica e características

Na figura ao lado, a tensão Vgs e feita 0V,

devido a conexão de um terminal com o outro, e a

tensão Vds e aplicada através dos terminais dreno-

fonte. Isso resulta em uma atração dos elétrons livres

do canal n para o potencial positivo do Dreno,

estabelecendo uma corrente Idss que atravessa o

Na figura ao lado, Vgs e negativo.

Esse potencial negativo na porta

pressionara os elétrons em direção ao

substrato p, e atrais buracos do substrato

tipo p. Dependendo da amplitude da

polarização negativa, teremos uma recombinação entre elétrons e buracos, reduzindo os elétrons livres no canal n. Assim, vemos que a corrente de dreno e reduzida a medida que Vgs se torna mais negativa, como mostra a segunda figura, para Vgs = -1V, -2V, ..., -6V(pinch-off).

Para os valores de Vgs positivo, a

porta, com potencial positivo agora,

arrasta elétrons adicionais do substrato

tipo p devido a corrente de fuga reversa.

Conforme Vgs cresce positivamente, a

corrente de dreno crescera rápido.

Devido a essa grande elevação na curva

e necessário se preocupar com a corrente de dreno máxima, já que esta pode ser ultrapassada com uma tensão positiva de porta. Exemplificando, no gráfico, a aplicação de uma tensão de 4V resulta em uma Idss de 22,2mA, isso seria capaz de exceder a especificação máxima de fabrica.

A aplicação de uma tensão Vgs positiva intensificou o numero de portadores

livres no canal, comparado a Vgs = 0. Por isso, as regiões de tensões positivas e

chamada de região de intensificação e a região entre os níveis de corte e saturação e

denominada região de depleção.