Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

FACULDADE ANHANGUERA DE ANÁPOLIS[pic 1]

Av. Universitária, N°. 683 – Centro – Anápolis-GO – CEP 75080-150

ATPS

DISPOSITIVOS

e

CIRCUITOS ELETRÔNICOS

Anápolis

31 de Março de 2016

Curso: Engenharia Elétrica

Professor: Luciano A. Valle

Disciplina: Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

Alunos                                             RA                                 TURMA

Ismael Pereira Farinha Gomes                    8411164292                7ªA

Luciano de Oliveira Torres                          9855492592                  6ªA

Juares Araújo Campos Junior                     6453334313                  7ªA

Tarcísio Santos Ribeiro                               6653376861                  7ªA

Fyama Mello Ali Ganem                              4997020681                  7ªA

SUMÁRIO

1 - INTRODUÇÃO___________________________________________________04

2 - REFERENCIAL TEÓRICO__________________________________________05

3 - ANÁLISE TEÓRICA_______________________________________________06

4- SIMULAÇÃO NO CIRCUIT MAKER___________________________________09

5 - CONCLUSÃO___________________________________________________11

6 - BIBLIOGRAFIA__________________________________________________12

1- INTRODUÇÃO

A proposta desta ATPS consiste em elaborar um trabalho sobre um circuito amplificador de sinal e programar sua simulação física, para isso utilizaremos o circuitmaker. Neste momento estão as etapas 1 e 2  da ATPS  juntas. Apresentaremos a análise teórica do comportamento do circuito amplificador para um sinal de áudio genérico em baixa, média e alta frequência juntamente com a simulação física do circuito.

2- REFERENCIAL TEÓRICO

Análise para baixas frequências.

Como sabemos que a relação freqüência e capacitância são inversamente proporcionais, ou seja, quanto maior a freqüência menor será a reatância capacitiva. Para o amplificador TBJ ou FET de um único estágio, nas baixas freqüências, a freqüência de corte é determinada pela relação RC pelos capacitores Cc e pela rede Ce e Cs que determina os parâmetros resistivos.

Para cada elemento capacitivo pode ser estabelecido um circuito RC e pode ser determinada a freqüência na qual a tensão cai a 70,7% do seu valor máximo. Uma vez determinada a freqüência de corte para cada capacitor, a freqüência de corte inferior f1 do sistema pode ser determinada.

Segue abaixo o circuito amplificador que utilizaremos para um sinal de áudio qualquer que analisaremos e que serve tanto para o TBJ quanto para o FET.

[pic 2]

Amplificador TBJ com carga, com capacitores que afetam a resposta em baixas freqüências.

A análise desta seção empregará a configuração de polarização por divisor de tensão com carga, mas os resultados obtidos poderão ser aplicados a qualquer configuração do TBJ ou de forma similar ao FET. Se as frequências fLs (frequência de corte em relação ao capacitor Cs e os resistores Rs e Ri), fLc (frequência de corte em relação entre o capacitor Cc e os resistores Rc e RL), fLe (frequência de corte em relação ao capacitor Ce e o resistor Re) estão relativamente distantes entre si, a frequência de corte mais alta determinará a frequência de corte inferior do sistema. Se houver duas ou mais freqüências de corte altas, o resultado será o aumento da freqüência de corte inferior e a redução da banda passante (diferença entre f2 e f1, ou seja, freqüência de corte superior menos frequência de corte inferior) resultante do sistema. Assim, há uma interação entre elementos capacitivos que podem afetar a freqüência de corte inferior do sistema.

No entanto, se as freqüências de corte estabelecidas por cada capacitor diferem suficientemente entre si, o efeito de uma sobre a outra poderão ser desprezados.

3- ANÁLISE TEÓRICA

Para analisar o comportamento de cada relação RC do circuito, e verificar qual será a frequência de corte inferior f1(maior entre elas), seguiremos os passos descritos adiante:

Análise Cs

        Como o capacitor Cs está normalmente conectado entre a fonte aplicada e o dispositivo ativo, a forma geral da configuração RC é estabelecida pelo seguinte circuito abaixo:

[pic 3]

A resistência total é Rs + Ri e a frequência de corte é determinada utilizando a equação:

[pic 4]

O valor de Ri para a equação acima é determinado pela fórmula

[pic 5]

Análise Cc

        Como o capacitor de acoplamento está normalmente conectado entre a saída do dispositivo ativo e a carga aplicada, a configuração RC que determina a frequência de corte inferior devido a Cc apresenta no circuito abaixo:

[pic 6]

A resistência total em série agora é Ro + RL e a freqüência de corte devido a Cc pode ser determinada pela equação: